全文获取类型
收费全文 | 66021篇 |
免费 | 6945篇 |
国内免费 | 3894篇 |
学科分类
工业技术 | 76860篇 |
出版年
2024年 | 191篇 |
2023年 | 1069篇 |
2022年 | 1877篇 |
2021年 | 2715篇 |
2020年 | 2098篇 |
2019年 | 1803篇 |
2018年 | 2008篇 |
2017年 | 2180篇 |
2016年 | 1980篇 |
2015年 | 2818篇 |
2014年 | 3566篇 |
2013年 | 4294篇 |
2012年 | 4895篇 |
2011年 | 5367篇 |
2010年 | 4872篇 |
2009年 | 4777篇 |
2008年 | 4553篇 |
2007年 | 4297篇 |
2006年 | 4129篇 |
2005年 | 3520篇 |
2004年 | 2439篇 |
2003年 | 1942篇 |
2002年 | 1842篇 |
2001年 | 1519篇 |
2000年 | 1241篇 |
1999年 | 1041篇 |
1998年 | 732篇 |
1997年 | 622篇 |
1996年 | 523篇 |
1995年 | 434篇 |
1994年 | 352篇 |
1993年 | 260篇 |
1992年 | 196篇 |
1991年 | 156篇 |
1990年 | 119篇 |
1989年 | 103篇 |
1988年 | 75篇 |
1987年 | 54篇 |
1986年 | 40篇 |
1985年 | 20篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 16篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 11篇 |
1978年 | 9篇 |
1977年 | 10篇 |
1976年 | 13篇 |
1975年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
91.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
92.
93.
聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学 总被引:6,自引:0,他引:6
采用差示扫描量热法(DSC)对聚甲亚胺(PAM)/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明,PAM的加入使得基体的结晶速率增大,尤其是当含量为5%时,半结晶期明显减少。研究还发现,该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述,各试样的Avrami指数均在2-3之间,表明Avrami指数,球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用,使得基体的结晶速率加快,但随着微纤含量的增加,由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱,表现为结晶速率又有所降低。 相似文献
94.
95.
96.
97.
98.
99.
100.